Hersteller Produktnummer:
IPI35CN10N G
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPI35CN10N G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 27A (Tc) 58W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventar:
12801044
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IPI35CN10N G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 27A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 29µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1570 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
58W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO262-3
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IPI35C
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
IPI35CN10N G-DG
SP000208936
SP000680730
IPI35CN10NG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF540ZLPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
862
TEILNUMMER
IRF540ZLPBF-DG
Einheitspreis
0.53
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
AOWF412
HERSTELLER
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
AOWF412-DG
Einheitspreis
0.97
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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